Uimhir Táirge Déantóra:
BSP149 E6327
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
BSP149 E6327-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Stoc:
12799490
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
BSP149 E6327 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
SIPMOS®
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
200 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
660mA (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1V @ 400µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
430 pF @ 25 V
Gné FET
Depletion Mode
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
1.8W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-SOT223-4
Pacáiste / Cás
TO-261-4, TO-261AA
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
BSP149E6327T
SP000011104
BSP149 E6327-DG
BSP149E6327
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
RoHS non-compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
BSP149H6906XTSA1
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
55
DiGi PART NUMBER
BSP149H6906XTSA1-DG
PRAGHAS AONAD
1.05
TÍP AIONTUITHE
Parametric Equivalent
UIMHIR CODA
BSP149H6327XTSA1
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
25184
DiGi PART NUMBER
BSP149H6327XTSA1-DG
PRAGHAS AONAD
0.48
TÍP AIONTUITHE
Parametric Equivalent
Teastas DIGI
Related Products
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
BSP318S E6327
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
